HUF75343G3 In Stock|PDF|Datasheet|Price|Agent[HUF75343G3 Alternative|Silk Screen|Technology|Solution Development]-ICGOODFIND

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Model HUF75343G3

Description 75A ， 55V ， 0.009 OhmN-Channel UltraFET Power MOSFETs 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Brand: Fairchild

Packaging TO-247-3

Delivery time

Packaging method Tube

Standard packaging quantity 1

5+:

$ 2.6973

25+:

$ 2.4975

50+:

$ 2.3576

100+:

$ 2.2977

500+:

$ 2.2577

2500+:

$ 2.2078

5000+:

$ 2.1878

10000+:

$ 2.1578

Price	$ 2.6973	$ 2.4975	$ 2.3576	$ 2.2977	$ 2.2577
Start batch production	5+	25+	50+	100+	500+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

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Specification parameters
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Selection Manual
Adapter model (0)

Technical parameters/rated voltage (DC): 55.0 V

Technical parameters/rated current: 75.0 A

Technical parameters/drain source resistance: 9.50 mΩ

Technical parameters/polarity: N-Channel

Technical parameters/dissipated power: 270W (Tc)

Technical parameters/drain source voltage (Vds): 55 V

Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 55.0 V

Technical parameters/breakdown voltage of gate source: ±16.0 V

Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 75.0 A

Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 3000pF @25V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max): 270 W

Technical parameters/dissipated power (Max): 270W (Tc)

Encapsulation parameters/installation method: Through Hole

Package parameters/number of pins: 3

Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-247-3

External dimensions/packaging: TO-247-3

Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

Other/Product Lifecycle: Unknown

Other/Packaging Methods: Tube

Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
HUF75339G3	Harris	类似代替	TO-247	75A ， 55V ， 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs	PDF
HUF75339G3	Fairchild	类似代替	TO-247-3	75A ， 55V ， 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs	PDF
HUF75344G3	Fairchild	功能相似	TO-247-3	UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
HUF75344G3	Intersil	功能相似		UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
HUF75344G3	ON Semiconductor	功能相似	TO-247-3	UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
HUF75345G3	ON Semiconductor	功能相似	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75345G3 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 75 A, 55 V, 7 mohm, 10 V, 4 V	PDF
IRFP054NPBF	Infineon	功能相似	TO-247-3	N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。	PDF