Technical parameters/rated voltage (DC): | 55.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 75.0 A |
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Technical parameters/rated power: | 285 W |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.0065 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 285 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 4 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 3.20 nF |
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Technical parameters/gate charge: | 90.0 nC |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 55 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 55.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±20.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 75.0 A |
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Technical parameters/rise time: | 125 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 3200pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 285 W |
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Technical parameters/descent time: | 57 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 285W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-247-3 |
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Dimensions/Length: | 15.87 mm |
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Dimensions/Width: | 4.82 mm |
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Dimensions/Height: | 20.82 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-247-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HUF75339G3
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Harris | 类似代替 | TO-247 |
75A ， 55V ， 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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HUF75339G3
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Fairchild | 类似代替 | TO-247-3 |
75A ， 55V ， 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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HUF75343G3
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
75A ， 55V ， 0.009 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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||
HUF75343G3
|
Intersil | 类似代替 |
75A ， 55V ， 0.009 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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HUF75343G3
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Fairchild | 类似代替 | TO-247-3 |
75A ， 55V ， 0.009 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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|
HUF75343G3
|
TI | 类似代替 |
75A ， 55V ， 0.009 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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HUF75345G3
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
75A ， 55V ， 0.007 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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IRFP054NPBF
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Infineon | 功能相似 | TO-247-3 |
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRFP064
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-247-3 |
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
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IRFP064
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-247 |
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
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IRFP064
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IRF | 功能相似 |
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
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IRFP064
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VISHAY | 功能相似 | TO-247 |
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
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IRFP064
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International Rectifier | 功能相似 |
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
|
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