Technical parameters/dissipated power: | 3.3 W |
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Technical parameters/rise time: | 10 ns |
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Technical parameters/descent time: | 12 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 1.7W (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SO-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.9 mm |
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Dimensions/Height: | 1.75 mm |
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Dimensions/Packaging: | SO-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7855PBF
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International Rectifier | 功能相似 | SOIC-8 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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SI4470EY-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SOIC |
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
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SI4470EY-T1-E3
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VISHAY | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
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SI4850EY-T1
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | SOIC |
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
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SI4850EY-T1
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
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SI4850EY-T1
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VISHAY | 类似代替 | SOIC |
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
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SI4850EY-T1-E3
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VISHAY | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.018Ω; ID 6A; SO-8; PD 1.7W; VGS +/-20V; gFS 2
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SI4850EY-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.018Ω; ID 6A; SO-8; PD 1.7W; VGS +/-20V; gFS 2
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