Technical parameters/number of channels: 1
Technical parameters/drain source resistance: 22 mΩ
Technical parameters/dissipated power: 1.7 W
Technical parameters/threshold voltage: 3 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 60 V
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/width: 4 mm
External dimensions/packaging: SOIC-8
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2014/06/16
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7855PBF
|
International Rectifier | 功能相似 | SOIC-8 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
||
SI4850EY-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
|
||
SI4850EY-T1-GE3
|
VISHAY | 类似代替 | SOIC-8 |
N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review