Technical parameters/rated voltage (DC): | 60.0 V |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.022 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 3.3 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 3 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 60 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 60.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±20.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 8.50 A |
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Technical parameters/rise time: | 10 ns |
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Technical parameters/rated power (Max): | 1.7 W |
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Technical parameters/descent time: | 12 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 1.7 W |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.55 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Minimum Packaging: | 2500 |
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Other/Manufacturing Applications: | Power Management, Industrial |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with stan Alternative material
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