Technical parameters/rated power: | 0.36 W |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 8 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 360 mW |
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Technical parameters/threshold voltage: | 1.5 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 60 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 0.17A |
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Technical parameters/rise time: | 16.2 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 15pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/descent time: | 20.5 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 360 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-3 |
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Dimensions/Length: | 2.9 mm |
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Dimensions/Width: | 1.3 mm |
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Dimensions/Height: | 1.1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Industrial, Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive, Portable Devices, Power Management, Onboard charger |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84
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CJ | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
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|
AnBon | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
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|
LiteOn | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
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||
BSS84
|
SHIKUES | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
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|
BSS84
|
Micross | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
|||
|
BSS84
|
FMS | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
||
BSS84
|
Diodes | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
||
BSS84
|
NXP | 功能相似 | TO-236 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
||
BSS84
|
National Semiconductor | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
|
|||
BSS84
|
Infineon | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
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||
BSS84P-E6327
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Infineon | 类似代替 | SOT-23-3 |
SOT-23P-CH 60V 0.17A
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BSS84PH6433XTMA1
|
Infineon | 类似代替 | SOT-23-3 |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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