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Technical parameters/polarity: | PNP |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 100 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 1A |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SPT |
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Dimensions/Packaging: | SPT |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Sanyo Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
CPH3140 PNP三极管 -120V -1A 120MHz 140~400 -200mV/-0.2V SOT-23/CP marking/标记 BB 高击穿电压/大电流
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NXP | 功能相似 | SPT |
SPT PNP 100V 1A
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PBSS9110T
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
NXP PBSS9110T 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE
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PBSS9110T,215
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS9110T,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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