Technical parameters/rated voltage (DC): -60.0 V
Technical parameters/rated current: -170 mA
Technical parameters/polarity: P-CH
Technical parameters/input capacitance: 19.0 pF
Technical parameters/gate charge: 1.50 nC
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 60.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 170 mA
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23
External dimensions/packaging: SOT-23
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84P
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Infineon | 类似代替 | SOT-23 |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSS84P-E6327
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
SOT-23P-CH 60V 0.17A
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BSS84PH6327XTSA2
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V
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