Technical parameters/rated voltage (DC): 55.0 V
Technical parameters/rated current: 47.0 A
Technical parameters/number of channels: 1
Technical parameters/drain source resistance: 0.035 Ω
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 110 W
Technical parameters/product series: IRLZ44N
Technical parameters/input capacitance: 1700pF @25V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 55 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 55 V
Technical parameters/breakdown voltage of gate source: ±16.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 47.0 A
Technical parameters/rise time: 84 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 1700pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 110 W
Technical parameters/descent time: 15 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 110000 mW
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/length: 10.54 mm
External dimensions/width: 4.4 mm
External dimensions/height: 15.24 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Rail, Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HUF75321P3
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-220-3 |
UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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HUF75321P3
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Intersil | 功能相似 |
UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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HUF75321P3
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Rochester | 功能相似 | TO-220 |
UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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IRFZ14PBF
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VISHAY | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Infineon | 功能相似 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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LiteOn | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
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STP55NF06L
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP55NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道
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