Technical parameters/rated power: 2.1 W
Technical parameters/number of pins: 6
Technical parameters/drain source resistance: 0.013 Ω
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 2.1 W
Technical parameters/product series: IRFHS8342
Technical parameters/threshold voltage: 1.8 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 8.8A
Technical parameters/rise time: 15 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 600pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 2.1 W
Technical parameters/descent time: 5 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 2.1W (Ta)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 6
Encapsulation parameters/Encapsulation: PQFN-8
External dimensions/packaging: PQFN-8
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: Load Switch, Battery Protection, Load Switch High Side, Point of Load ControlFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, DC Switches, Isolated Primary Side MOSFETs, Load Switch Low Side
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDMA7632
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Fairchild | 功能相似 | WDFN-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA7632 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.1 V
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IRFHS8342TR2PBF
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Infineon | 功能相似 | PQFN-6 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFHS8342TR2PBF
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International Rectifier | 功能相似 | PowerVQFN-6 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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SIA432DJ-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | PowerPAK-SC70-6 |
VISHAY SIA432DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 10.1A, SC-70, 整卷
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SIA432DJ-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SC-70-6 |
VISHAY SIA432DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 10.1A, SC-70, 整卷
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