Technical parameters/number of pins: 3
Technical parameters/drain source resistance: 0.14 Ω
Technical parameters/dissipated power: 2.5 W
Technical parameters/threshold voltage: 5 V
Technical parameters/input capacitance: 830 pF
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 200 V
Technical parameters/rise time: 133 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 1080pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 2.5 W
Technical parameters/descent time: 62 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 2500 mW
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-252-3
External dimensions/packaging: TO-252-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: Lighting, Industrial, Power Management
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDD2670
|
ON Semiconductor | 功能相似 | TO-252-3 |
场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252
|
||
|
|
Rochester | 功能相似 | TO-252 |
场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252
|
||
FQD12N20LTM
|
Fairchild | 类似代替 | TO-252-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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