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Model FDG328P

Description FDG328P pallet

Brand: ON Semiconductor

Packaging SC-70-6

Delivery time

Packaging method Tape & Reel (TR)

Standard packaging quantity 1

20+:

$ 0.2754

50+:

$ 0.2550

100+:

$ 0.2448

300+:

$ 0.2366

500+:

$ 0.2305

1000+:

$ 0.2264

5000+:

$ 0.2224

10000+:

$ 0.2183

Price	$ 0.2754	$ 0.2550	$ 0.2448	$ 0.2366	$ 0.2305
Start batch production	20+	50+	100+	300+	500+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

Inventory(3799) Minimum order quantity(20)

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Specification parameters
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Selection Manual
Adapter model (0)

Technical parameters/number of pins: 6

Technical parameters/drain source resistance: 0.12 Ω

Technical parameters/dissipated power: 0.75 W

Technical parameters/drain source voltage (Vds): 20 V

Technical parameters/rise time: 12 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 337pF @10V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max): 480 mW

Technical parameters/descent time: 5 ns

Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max): 750 mW

Package parameters/number of pins: 6

Encapsulation parameters/Encapsulation: SC-70-6

External dimensions/packaging: SC-70-6

Other/Product Lifecycle: Active

Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)

Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FDG316P	Rochester	功能相似	SC-70	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDG316P	Fairchild	功能相似	SC-70-6	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDG316P	ON Semiconductor	功能相似	SC-70	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDG326P	Fairchild	功能相似	SC-70-6	P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	PDF
FDG326P	ON Semiconductor	功能相似	SC-70-6	P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	PDF
FDG328P	ON Semiconductor	功能相似	SC-70-6	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF