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Model FDG326P

Description PChannel 1.8V specified PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V specified PowerTrench MOSFET

Brand: Fairchild

Packaging SC-70-6

Delivery time

Packaging method Tape & Reel (TR)

Standard packaging quantity 1

20+:

$ 0.3038

50+:

$ 0.2813

100+:

$ 0.2700

300+:

$ 0.2610

500+:

$ 0.2543

1000+:

$ 0.2498

5000+:

$ 0.2453

10000+:

$ 0.2408

Price	$ 0.3038	$ 0.2813	$ 0.2700	$ 0.2610	$ 0.2543
Start batch production	20+	50+	100+	300+	500+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

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Specification parameters
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Selection Manual
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Technical parameters/rated voltage (DC): -20.0 V

Technical parameters/rated current: -1.50 A

Technical parameters/number of channels: 1

Technical parameters/drain source resistance: 140 mΩ

Technical parameters/polarity: P-Channel

Technical parameters/dissipated power: 750 mW

Technical parameters/input capacitance: 467 pF

Technical parameters/gate charge: 4.40 nC

Technical parameters/drain source voltage (Vds): 20 V

Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 20 V

Technical parameters/breakdown voltage of gate source: ±8.00 V

Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 1.50 A

Technical parameters/rise time: 13 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 467pF @10V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max): 480 mW

Technical parameters/descent time: 13 ns

Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min): 55 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max): 750mW (Ta)

Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount

Package parameters/number of pins: 6

Encapsulation parameters/Encapsulation: SC-70-6

External dimensions/length: 2 mm

External dimensions/width: 1.25 mm

External dimensions/height: 1.1 mm

External dimensions/packaging: SC-70-6

Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

Other/Product Lifecycle: Unknown

Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)

Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Customs information/ECCN code: EAR99

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FDG316P	Rochester	类似代替	SC-70	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDG316P	Fairchild	类似代替	SC-70-6	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDG316P	ON Semiconductor	类似代替	SC-70	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDG328P	ON Semiconductor	类似代替	SC-70-6	PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF