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Technical parameters/number of channels: 1
Technical parameters/drain source resistance: 25 Ω
Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/dissipated power: 15 W
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 350 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 350 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 0.5A
Technical parameters/rise time: 15 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 200pF @25V(Vds)
Technical parameters/descent time: 20 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): 55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 15000 mW
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/length: 10.67 mm
External dimensions/width: 4.83 mm
External dimensions/height: 9.02 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/materials: Silicon
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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DN2535N3-G
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Microchip | 功能相似 | TO-226-3 |
MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V
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Suptertex | 功能相似 |
MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V
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DN2535N3-G
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Supertex | 功能相似 | TO-92-3 |
MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V
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Suptertex | 类似代替 |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。 ### 特点 高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用 常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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DN2535N5-G
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Microchip | 类似代替 | TO-220-3 |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。 ### 特点 高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用 常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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DN2535N5-G
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Supertex | 类似代替 | TO-220 |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。 ### 特点 高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用 常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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