Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 50 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 2000mA
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 200
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23-3
External dimensions/packaging: SOT-23-3
Other/Minimum Packaging: 3000
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FMMT619TC
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Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
三极管(BJT) FMMT619TC SOT-23-3
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FMMT619TC
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Diodes | 功能相似 | SOT-23-3 |
三极管(BJT) FMMT619TC SOT-23-3
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PBSS4320T
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NXP | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS4320T
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Nexperia | 类似代替 | TO-236 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS4320T
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Philips | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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Philips | 功能相似 |
NXP PBSS4350T 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
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PBSS4350T
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Nexperia | 功能相似 | TO-236 |
NXP PBSS4350T 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
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PBSS4350T
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
NXP PBSS4350T 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
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