Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 150 |
|
Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
|
Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
|
Technical parameters/dissipated power (Max): | 1200 mW |
|
Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
|
Package parameters/number of pins: | 3 |
|
Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-236 |
|
Dimensions/Length: | 3 mm |
|
Dimensions/Width: | 1.4 mm |
|
Dimensions/Height: | 1 mm |
|
Dimensions/Packaging: | TO-236 |
|
Other/Product Lifecycle: | Active |
|
Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
|
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FMMT619
|
Vishay Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
|
||
FMMT619
|
CJ | 类似代替 | SOT-23-3 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
|
||
FMMT619
|
Diodes | 类似代替 | SOT-23 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
|
||
PBSS4240T
|
Philips | 类似代替 | SOT-23 |
NXP PBSS4240T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
|
||
PBSS4240T
|
NXP | 类似代替 | SOT-23 |
NXP PBSS4240T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
|
||
PBSS4320T
|
NXP | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
|
||
PBSS4320T
|
Nexperia | 类似代替 | TO-236 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
|
||
PBSS4320T
|
Philips | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review