Technical parameters/power supply current: 8 mA
Technical parameters/dissipated power: 1 W
Technical parameters/access time: 55 ns
Technical parameters/access time (Max): 55 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 2.7V ~ 3.6V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 44
Encapsulation parameters/Encapsulation: TSOP-44
External dimensions/packaging: TSOP-44
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 85℃ (TA)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FM21L16-60-TG
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Cypress Semiconductor | 功能相似 | TSOP-44 |
F-RAM, Ramtron 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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FM22L16-55-TG
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Ramtron | 类似代替 | TSOP |
F-RAM, Ramtron 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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FM22L16-55-TG
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Cypress Semiconductor | 类似代替 | TSOP-44 |
F-RAM, Ramtron 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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