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Technical parameters/power supply current: | 12 mA |
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Technical parameters/access time: | 60 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/power supply voltage: | 2.7V ~ 3.6V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 44 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TSOP-44 |
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Dimensions/Length: | 18.41 mm |
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Dimensions/Width: | 10.16 mm |
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Dimensions/Height: | 1.2 mm |
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Dimensions/Packaging: | TSOP-44 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FM22L16-55-TG
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Ramtron | 功能相似 | TSOP |
F-RAM, Ramtron 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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FM22L16-55-TG
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Cypress Semiconductor | 功能相似 | TSOP-44 |
F-RAM, Ramtron 非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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