Technical parameters/rated voltage (DC): -30.0 V
Technical parameters/rated current: -2.00 A
Technical parameters/drain source resistance: 63.0 mΩ
Technical parameters/polarity: P-Channel
Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Technical parameters/input capacitance: 298 pF
Technical parameters/gate charge: 6.20 nC
Technical parameters/drain source voltage (Vds): -30.0 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: -30.0 V
Technical parameters/breakdown voltage of gate source: ±20.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 2.00 A
Technical parameters/rise time: 13.0 ns
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SUPERSOT
External dimensions/packaging: SUPERSOT
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDN360P
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Fairchild | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P
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Rochester | 功能相似 | SuperSOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P
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ON Semiconductor | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P
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SHIKUES | 功能相似 | SOT-23 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
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FDN360P_NL
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Fairchild | 功能相似 | SuperSOT |
Single P-Channel PowerTrench MOSFET
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IRLML5203TRPBF
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International Rectifier | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TRPBF
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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