Technical parameters/polarity: | PNP |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 50 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 500mA |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | MPAK |
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Dimensions/Packaging: | MPAK |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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PDTB113ET
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NXP | 功能相似 | TO-236 |
PNP 晶体管,NXP ### 数字晶体管,NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PDTB113ET
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Philips | 功能相似 |
PNP 晶体管,NXP ### 数字晶体管,NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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NXP | 功能相似 | MPAK |
低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors
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Philips | 功能相似 |
低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors
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PDTB113ZT,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia PDTB113ZT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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PDTB113ZT,215
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia PDTB113ZT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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