Technical parameters/rated power: | 1.3 W |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.05 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 1.3 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 550 mV |
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Technical parameters/Input capacitance: | 830 pF |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 12 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 4.3A |
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Technical parameters/rise time: | 32 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 830pF @10V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 1.3 W |
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Technical parameters/descent time: | 210 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 1.3W (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-3 |
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Dimensions/Length: | 3.04 mm |
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Dimensions/Width: | 1.4 mm |
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
Dimensions/Height: | 1.02 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Load Switch, Power Management, DC Switches |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRLML6401GTRPBF
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Infineon | 类似代替 | SOT-23-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML6401TR
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Infineon | 类似代替 | SOT-23-3 |
SOT-23P-CH 12V 4.3A
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IRLML6401TR
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International Rectifier | 类似代替 | SOT-23 |
SOT-23P-CH 12V 4.3A
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SI2305DS-T1-E3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-236 |
VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
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