Technical parameters/rated voltage (DC): | 20.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 540 mA |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 700 mΩ |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 0.28 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 1 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 175 pF |
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Technical parameters/gate charge: | 2.50 nC |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 20 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 20.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±6.00 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 540 mA |
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Technical parameters/rise time: | 4 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 150pF @16V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 250 mW |
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Technical parameters/descent time: | 8 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 280 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-563-6 |
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Dimensions/Length: | 1.6 mm |
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Dimensions/Width: | 1.2 mm |
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Dimensions/Height: | 0.55 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-563-6 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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