Technical parameters/rated power: | 2.5 W |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.015 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 2.5 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 3 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 40 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 40 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 10.5A |
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Technical parameters/rise time: | 490 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 9250pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/descent time: | 97 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2.5W (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Power Management, power management |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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