Technical parameters/rated voltage (DC): | -30.0 V |
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Technical parameters/rated current: | -5.00 A |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.045 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 2.5 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 1.6 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 30 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 30.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±16.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 5.00 A |
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Technical parameters/rise time: | 35 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 1350pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 2.5 W |
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Technical parameters/descent time: | 35 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2500 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.25 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS9435A
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Fairchild | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V
|
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FDS9435A
|
ON Semiconductor | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V
|
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IRF7205TRPBF
|
Infineon | 功能相似 | SOIC-8 |
IRF7205TRPBF 编带
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IRF7205TRPBF
|
IFC | 功能相似 |
IRF7205TRPBF 编带
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