Technical parameters/rated voltage (DC): | -30.0 V |
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Technical parameters/rated current: | -5.30 A |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.042 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 2.5 W |
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Technical parameters/Input capacitance: | 528 pF |
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Technical parameters/gate charge: | 10.0 nC |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 30 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 30 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±25.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | -5.30 A |
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Technical parameters/rise time: | 13 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 528pF @15V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 1 W |
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Technical parameters/descent time: | 9 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2.5W (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Met Alternative material
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