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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Other/source drain avalanche voltage VBR (V): | -60 |
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Other/source drain maximum on resistance rDS (on) (m Ω): | 8000 |
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Other/maximum drain current Id (on) (A): | -0.17 |
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Other/channel polarity: | Pchannel |
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Other/Packaging/Temperature (℃): | PG-SOT23-3/-55~150 |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BSS84P
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Infineon | 功能相似 | SOT-23 |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSS84P-E6327
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
SOT-23P-CH 60V 0.17A
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BSS84PH6327XTSA2
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V
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