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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRLML5103TRPBF
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IFA | 功能相似 |
INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
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IRLML5203TRPBF
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International Rectifier | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TRPBF
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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NDS356AP
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Freescale | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
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NDS356AP
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Fairchild | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
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NDS356AP
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ON Semiconductor | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
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