Technical parameters/rated voltage (DC): | -30.0 V |
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Technical parameters/rated current: | -1.10 A |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 300 mΩ |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 500 mW |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 30 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | -30.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±20.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 1.10 A |
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Technical parameters/rise time: | 17 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 280pF @10V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 460 mW |
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Technical parameters/descent time: | 38 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 500mW (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-3 |
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Dimensions/Length: | 2.92 mm |
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Dimensions/Width: | 1.4 mm |
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Dimensions/Height: | 0.94 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRLML5103TRPBF
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IFA | 功能相似 |
INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
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IRLML5203TRPBF
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International Rectifier | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TRPBF
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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NDS356AP
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Freescale | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
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NDS356AP
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Fairchild | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
|
||
NDS356AP
|
ON Semiconductor | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
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