Technical parameters/dissipated power: 1.25 W
Technical parameters/threshold voltage: 450 mV
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 20 V
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 865pF @10V(Vds)
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23-3
External dimensions/packaging: SOT-23-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2014/06/16
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
DMG6968U-7
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Diodes Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3
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DMG6968U-7
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Diodes | 功能相似 | SOT-23-3 |
DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3
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SI3442CDV-T1-GE3
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VISHAY | 功能相似 | TSOP-6 |
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
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SI3442CDV-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TSOT-23-6 |
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
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SQ2310ES-T1_GE3
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VISHAY | 类似代替 | SOT-23-3 |
N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。 ### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点 符合 AEC-Q101 标准 接点温度高达 +175°C 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 创新型节省空间封装选项 ### 认可 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。 ### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点 符合 AEC-Q101 标准 接点温度高达 +175°C 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 创新型节省空间封装选项 ### 认可 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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