Technical parameters/number of channels: 1
Technical parameters/number of pins: 8
Technical parameters/drain source resistance: 16.7 mΩ
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 78 W
Technical parameters/threshold voltage: 3 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 100 V
Technical parameters/rise time: 22 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 2300pF @50V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 78 W
Technical parameters/descent time: 5 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: TDSON-8
External dimensions/length: 5.9 mm
External dimensions/width: 5.9 mm
External dimensions/height: 1.27 mm
External dimensions/packaging: TDSON-8
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies (UPS), Synchronous rectification for AC-DC SMPS
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2015/12/17
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FDMS3672
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ON Semiconductor | 功能相似 | QFN-56 |
UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS3672
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Fairchild | 功能相似 | Power-56-8 |
UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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