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Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263
External dimensions/packaging: TO-263
Other/궟동: Single
Other/작동온도범위: 55 C to + 150 C
Other/Case/Package: D2PAK (TO-263AB)
Other/Packaging: Tube
Other/Delete: Schottky Rectifiers
Other/Forward Continuous Current: 20 A
Other/Max Surge Current: 160 A
Other/동착 동: SMD/SMT
Other/순압강하: 1.43 V
Other/Delete 동업체: Vishay
Other/Maximum Reverse 누설류: 250 uA
Other/Peak Reverse Voltage: 150 V
Other/Delete 품카테 High speed: Schottky Rectifiers
Other/Standard Pack Qty: 1000
Other/상표명: TMBS
Other/RoHS: Non-Compliant
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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VB20150S-E3/8W
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VISHAY | 完全替代 | TO-263 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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VB20150S-E3/8W
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-263-3 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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