Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 350 mW
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 8.00 mA
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23
External dimensions/packaging: SOT-23
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BFR30,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
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BFR31,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
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PMBFJ309,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236AB
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