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Model IRFZ44ESTRLPBF

Description Transistor, MOSFET, N-channel, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V

Brand: Infineon

Packaging TO-263-3

Delivery time

Packaging method Tape & Reel (TR)

Standard packaging quantity 1

5+:

$ 6.0548

25+:

$ 5.6063

50+:

$ 5.2923

100+:

$ 5.1578

500+:

$ 5.0681

2500+:

$ 4.9559

5000+:

$ 4.9111

10000+:

$ 4.8438

Price	$ 6.0548	$ 5.6063	$ 5.2923	$ 5.1578	$ 5.0681
Start batch production	5+	25+	50+	100+	500+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

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Selection Manual
Adapter model (0)

Technical parameters/rated power: 110 W

Technical parameters/number of channels: 1

Technical parameters/number of pins: 3

Technical parameters/drain source resistance: 23 mΩ

Technical parameters/polarity: N-Channel

Technical parameters/dissipated power: 110 W

Technical parameters/threshold voltage: 4 V

Technical parameters/input capacitance: 1360 pF

Technical parameters/drain source voltage (Vds): 60 V

Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 60 V

Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 48A

Technical parameters/rise time: 60 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 1360pF @25V(Vds)

Technical parameters/descent time: 70 ns

Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max): 110W (Tc)

Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount

Package parameters/number of pins: 3

Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-3

External dimensions/length: 6.5 mm

External dimensions/width: 6.22 mm

External dimensions/height: 2.3 mm

External dimensions/packaging: TO-263-3

Physical parameters/materials: Silicon

Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

Other/Product Lifecycle: Active

Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)

Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
IRFZ44ES	Infineon	类似代替	TO-263-3	D2PAK N-CH 60V 48A	PDF
IRFZ44ESPBF	International Rectifier	类似代替	TO-263-3	N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。	PDF
IRFZ44ESPBF	Amphenol	类似代替		N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
IRFZ44ESPBF	Infineon	类似代替	TO-263-3	N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。	PDF
IRFZ44ESTRRPBF	International Rectifier	类似代替	D2PAK	场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK	PDF
IRFZ44ESTRRPBF	Infineon	类似代替	TO-263-3	场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK	PDF
STB35NF10T4	ST Microelectronics	功能相似	TO-263-3	N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics	PDF
STB55NF06T4	ST Microelectronics	功能相似	TO-263-3	N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics	PDF