Technical parameters/rated voltage (DC): 60.0 V
Technical parameters/rated current: 48.0 A
Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/dissipated power: 110W (Tc)
Technical parameters/product series: IRFZ44ES
Technical parameters/input capacitance: 1.36 nF
Technical parameters/gate charge: 60.0 nC
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 60 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 48.0 A
Technical parameters/rise time: 60.0 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 1360pF @25V(Vds)
Technical parameters/dissipated power (Max): 110W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-3
External dimensions/packaging: TO-263-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards:
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRFZ44ESPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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Amphenol | 类似代替 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFZ44ESPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFZ44ESTRLPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ESTRLPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ESTRRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | D2PAK |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
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IRFZ44ESTRRPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-263-3 |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
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