Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220
External dimensions/packaging: TO-220
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FDP10N60NZ
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-220 |
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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Rochester | 功能相似 | TO-220 |
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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IRFB9N60A
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | Through Hole |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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IRFB9N60A
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International Rectifier | 功能相似 |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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IRFB9N60A
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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IRFB9N60APBF
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LiteOn | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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IRFB9N60APBF
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-220 |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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IRFB9N60APBF
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Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-220 |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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IRFB9N60APBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-220 |
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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