Technical parameters/rated voltage (DC): 55.0 V
Technical parameters/rated current: 36.0 A
Technical parameters/drain source resistance: 16.0 mΩ (max)
Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/dissipated power: 140W (Tc)
Technical parameters/product series: IRFP048N
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 55 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 55.0V (min)
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 64.0 A
Technical parameters/rise time: 78.0 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 1900pF @25V(Vds)
Technical parameters/dissipated power (Max): 140W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-247-3
External dimensions/packaging: TO-247-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards:
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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International Rectifier | 功能相似 | Through Hole |
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
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IRFP048
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Infineon | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
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IRFP048NPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-247-3 |
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFP048NPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-247-3 |
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFP048NPBF
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IFA | 类似代替 |
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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