Technical parameters/dissipated power: 93W (Tc)
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 55 V
Technical parameters/rise time: 55 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 680pF @25V(Vds)
Technical parameters/descent time: 66 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 93W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-252-3
External dimensions/packaging: TO-252-3
Physical parameters/materials: Silicon
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Rail
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRF9Z34NPBF
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IFA | 功能相似 |
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFR024NTRPBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ24NPBF
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Infineon | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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NTD3055L104T4G
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
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Intersil | 功能相似 |
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
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RFD14N05L
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-251-3 |
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
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