Technical parameters/dissipated power: 280 W
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 900 V
Technical parameters/rise time: 120 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 2100pF @25V(Vds)
Technical parameters/descent time: 75 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 280 W
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-3
External dimensions/length: 15.8 mm
External dimensions/width: 5 mm
External dimensions/height: 18.9 mm
External dimensions/packaging: TO-3
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Rail, Tube
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQA9N90C-F109
|
Fairchild | 功能相似 | TO-3-3 |
900V N-channel Mosfet
|
||
FQA9N90C-F109
|
ON Semiconductor | 功能相似 | TO-3 |
900V N-channel Mosfet
|
||
FQA9N90C_F109
|
ON Semiconductor | 功能相似 | TO-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review