Technical parameters/number of output interfaces: 2
Technical parameters/output current: 130 mA
Technical parameters/dissipated power: 625 mW
Technical parameters/descent time (Max): 170 ns
Technical parameters/rise time (Max): 220 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 625 mW
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/packaging: SOIC-8
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 125℃
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: PB free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRS2004SPBF
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International Rectifier | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRS2004SPBF 双路芯片, IGBT/MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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IFC | 类似代替 |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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IRS2004STRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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IRS2302SPBF
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International Rectifier | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRS2302SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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IRS2302SPBF
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Infineon | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRS2302SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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