| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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2N7002K
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NCE | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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NXP | 类似代替 | TO-236 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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Kexin | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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NCE Power | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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MDD | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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Panjit | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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BS170
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GE | 类似代替 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-226-3 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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Major Brands | 类似代替 | TO-92 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BSS123
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Siemens Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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Bourns J.W. Miller | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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Blue Rocket Electronics | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Philips | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Zetex | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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KUU | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Infineon | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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AnBon | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Freescale | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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