Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 120 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.05A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23
External dimensions/packaging: SOT-23
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FJV1845EMTF
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Fairchild | 类似代替 | SOT-23-3 |
小信号 NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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FJV1845EMTF
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
小信号 NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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FJV1845FMTF
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJV1845FMTF 单晶体管 双极, NPN, 120 V, 110 MHz, 300 mW, 50 mA, 300 hFE
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FJV1845PMTF
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
FJV1845 系列 120 V 50 mA 表面贴装 NPN 外延 硅 晶体管 - SOT-23-3
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