Technical parameters/number of pins: 3
Technical parameters/drain source resistance: 0.15 Ω
Technical parameters/dissipated power: 208 W
Technical parameters/threshold voltage: 5 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 600 V
Technical parameters/rise time: 140 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 2370pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 208 W
Technical parameters/descent time: 65 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 208 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-3
External dimensions/height: 4.83 mm
External dimensions/packaging: TO-263-3
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FCB20N60
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Fairchild | 完全替代 | TO-263 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
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FCB20N60FTM
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Fairchild | 功能相似 | TO-263-3 |
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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STB25NM60N
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-263-3 |
N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
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