Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 4
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-223
External dimensions/packaging: SOT-223
Other/Product Lifecycle: Unknown
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FDT457N
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-261-4 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V
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FDT459N
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Fairchild | 功能相似 | TO-261-4 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDT459N
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-261-4 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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STN4NF03L
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-261-4 |
STMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
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