Technical parameters/forward voltage: 0.38 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 40V
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 0.6 A
Technical parameters/maximum reverse leakage current (Ir): 0.2uA
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-323
External dimensions/packaging: SOT-323
Other/Minimum Packaging: 3000
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Semtech Corporation | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40-06W
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NXP | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Siemens AG | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40-06W
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Infineon | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W-04-7-F
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Diodes Zetex | 功能相似 | SOT-323 |
BAS40W-04-7-F 编带
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BAS40W-05-7-F
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Diodes Zetex | 功能相似 | SOT-323 |
BAS40W 系列 40 V 200 mA 表面贴装 肖特基 势垒 二极管 - SOT-323
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BAS40W-05-7-F
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Diodes | 功能相似 | SOT-323-3 |
BAS40W 系列 40 V 200 mA 表面贴装 肖特基 势垒 二极管 - SOT-323
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BC817W,115
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NXP | 完全替代 | SOT-323-3 |
NXP BC817W,115 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 100 hFE
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BC817W,115
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Nexperia | 完全替代 | SOT-323-3 |
NXP BC817W,115 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 100 hFE
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BC817W,115
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Philips | 完全替代 | SC-70 |
NXP BC817W,115 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 100 hFE
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