Technical parameters/capacitors: 5.00 pF
Technical parameters/rated power: 200 mW
Technical parameters/output current: ≤200 mA
Technical parameters/forward voltage: 1V @40mA
Technical parameters/polarity: Standard
Technical parameters/dissipated power: 200 mW
Technical parameters/reverse recovery time: 5 ns
Technical parameters/forward voltage (Max): 1V @40mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-323-3
External dimensions/length: 2.2 mm
External dimensions/width: 1.35 mm
External dimensions/height: 1 mm
External dimensions/packaging: SOT-323-3
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 125℃
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Won-Top Electronics | 功能相似 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Semtech Corporation | 功能相似 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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CJ | 功能相似 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W
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Galaxy Semi-Conductor | 功能相似 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W
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Philips | 功能相似 | SC-70 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W
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NXP | 功能相似 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W-7-F
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Diodes Zetex | 类似代替 | SOT-323 |
BAS40W-7-F 二极管, 200mA 40V 5ns, 3针 SOT-323封装
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