Technical parameters/forward voltage: 1 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 40V
Technical parameters/forward current: 200 mA
Technical parameters/maximum reverse leakage current (Ir): 0.2uA
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-323
External dimensions/packaging: SOT-323
Other/Minimum Packaging: 3000
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Won-Top Electronics | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Semtech Corporation | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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CJ | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W
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Galaxy Semi-Conductor | 类似代替 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W
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Philips | 类似代替 | SC-70 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS40W
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NXP | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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