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Model FQB50N06

Description FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06 Transistor, MOSFET, N-channel, 50 A, 60 V, 22 Mohm, 10 V, 4 V

Brand: Fairchild

Packaging TO-263

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Standard packaging quantity 1

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Technical parameters/number of pins:	3
Technical parameters/drain source resistance:	22 mΩ
Technical parameters/polarity:	N-Channel
Technical parameters/dissipated power:	120 W
Technical parameters/threshold voltage:	4 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds):	60 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids):	50.0 A
Technical parameters/operating temperature (Max):	175 ℃
Package parameters/number of pins:	3
Encapsulation parameters/Encapsulation:	TO-263
Dimensions/Packaging:	TO-263
Physical parameters/operating temperature:	-55℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle:	Unknown
Compliant with standards/RoHS standards:	RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards:	Lead Free
Compliant with the REACH SVHC standard:	No SVHC
Compliant with standard/REACH SVHC version:	2015/06/15

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FQB50N06LTM	ON Semiconductor	功能相似	TO-263-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V	PDF
FQB50N06LTM	Fairchild	功能相似	TO-263-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB50N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52.4 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.5 V	PDF
FQB50N06TM	ON Semiconductor	功能相似	TO-263-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
FQB50N06TM	Fairchild	功能相似	TO-263-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF