Technical parameters/rated voltage (DC): | 55.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 4.70 A |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.043 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel, Dual N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 2 W |
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Technical parameters/product series: | IRF7341 |
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Technical parameters/threshold voltage: | 1 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 780pF @25V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 55 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 55 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 4.70 A |
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Technical parameters/rise time: | 3.20 ns |
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Technical parameters/thermal resistance: | 62.5℃/W (RθJA) |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 740pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 2 W |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IFA | 功能相似 |
INFINEON IRF7341PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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IRF7341PBF
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Infineon | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7341PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
|
||
STS4DNF60L
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ST Microelectronics | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
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