Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.0085 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 2.5 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 1.8 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 1680 pF |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 30 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 30 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 12A |
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Technical parameters/rise time: | 57 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 1680pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 2.5 W |
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Technical parameters/descent time: | 66 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2.5W (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Battery Protection, Load Switch High Side, Load Switch Low Side |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRF9388PBF
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Infineon | 类似代替 | SOIC-8 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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SI4825DDY-T1-GE3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | SOIC |
SI4825DDY-T1-GE3 编带
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SI4825DDY-T1-GE3
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VISHAY | 功能相似 | SOIC-8 |
SI4825DDY-T1-GE3 编带
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