Technical parameters/number of pins: | 6 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.127 Ω |
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Technical parameters/dissipated power: | 0.96 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 900 mV |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 20 V |
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Technical parameters/rise time: | 9 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 441pF @10V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 700 mW |
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Technical parameters/descent time: | 3 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 960 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TSOT-23-6 |
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Dimensions/Length: | 3 mm |
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Dimensions/Width: | 1.7 mm |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | TSOT-23-6 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Power Management, Industrial |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDC6312P
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ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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Rochester | 类似代替 | SOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
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